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學術報告——氧化鉿(HfO2)高K薄膜的制備及ALD生長行為分析

作者:來源:西華大學發布時間:2023-11-24瀏覽次數:714

報 告 人:楊志(副教授,碩士生導師

報告時間:20231129日 下午14:00 -15:30

報告地點:宜賓校區 Y1-311多媒體教室

主辦單位:材料科學與工程學院

報告人簡介:

楊志,博士,副教授,碩士生導師,201712月畢業于西安交通大學,同年加入西華大學材料科學與工程學院,2019年入選西華大學青年后備人才支持計劃,現任中國腐蝕與防護學會第十屆緩蝕劑與水處理專業委員會委員,四川省人社廳專家服務團專家。近年來,參與或主持各類科研項目10余項,在國內外學術期刊發表SCI論文20余篇,申請國家專利5項。研究方向包括:材料物性的理論計算、新能源材料、先進薄膜材料及性能表征等。

內容簡介:原子層沉積(ALD)是一種適合于研制最新的和前沿性的產品的薄膜制備技術,也是一種用于納米技術研究的有效方法,可在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無針孔、高保形的納米薄膜。報告介紹了原子層沉積的基本原理,氧化鉿生長過程中的表面吸附與生長模式演變,氧化鉿薄膜表面動態演化及薄膜生長行為演變等。

歡迎納米技術專業及相關領域老師、同學參加!



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編審:程訪然

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